机译:拉曼光谱法直接证明InxGa1-xN外延层中的应变不均匀
Univ Aveiro, Dept Fis, P-3810193 Aveiro, Portugal;
SCATTERING; INGAN; GAN; PHONON; HETEROSTRUCTURES; A(1)(LO); ALLOYS;
机译:紫外可见拉曼光谱法研究In_xga_(1-x)n合金中成分不均匀性的证据
机译:通过光反射光谱法证明β-FeSi_2外延层存在间接间隙
机译:通过背面蚀刻和拉曼光谱在长通道器件上直接测量MOSFET通道应变
机译:基于X射线衍射和微拉曼光谱测量的单向和切碎石墨纤维复合材料中内部菌株分析
机译:轴向应变下碳纳米管的拉曼光谱和单个碳纳米管的表面增强拉曼光谱
机译:氯过氧化物酶化合物II的共振拉曼光谱提供了铁(IV)-氢氧化物存在的直接证据
机译:通过使用Operando Raman光谱,通过使用Operando Raman光谱参加氧空位参与氧气职位空缺参与的氧气空位在二氧化铈负载的金催化剂上的氧化