机译:SiC陶瓷电容器的介电性能和空间电荷行为
Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Ceram, State Key Lab High Performance Ceram & Superfine, Shanghai 200050, Peoples R China;
OXIDE-SEMICONDUCTOR CAPACITORS; GRAIN-BOUNDARIES; FERROELECTRICS; PERMITTIVITY; DEPENDENCE; MICROSCOPY;
机译:确定SiC基陶瓷晶粒边界电容器介电性能的方面
机译:带有AlON / SiO_2叠栅电介质的4H-SiC MOS电容器中的SiO_2 / SiC界面电荷的平带电压偏移
机译:储能应用铌酸盐玻璃陶瓷的介电性能和充放电行为
机译:基于SiC基陶瓷晶界电容器的介电性能的方面
机译:高温热解热分裂的聚合物衍生SiC陶瓷的电和介电性能研究
机译:聚酰亚胺/氮化硅纳米复合薄膜的介电性能和空间电荷行为
机译:具有氮化栅极氧化物的3C和4H-SiC MOS电容器的电荷俘获特性