机译:电流传输机制及其对不同基础结构的InP基双异质结双极晶体管性能的影响
Solid State Electronics Department, University Duisburg-Essen, Lotharstr. 55, ZHO, 47057 Duisburg, Germany;
机译:具有由GaAsSb接触层和InGaAsSb梯度层组成的混合基础结构的InP基双异质结双极晶体管的金属有机化学气相沉积的组成和掺杂控制
机译:基于InP的单和双异质结双极晶体管的功率性能
机译:在基于NPN InP的异质结双极晶体管建模的分析方法中包括隧穿和弹道传输效应
机译:高电流对pnp InP基异质结双极晶体管性能的影响分析
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:半导体:基于并五苯/ P13 /并五苯作为电荷传输层和陷阱层的有机半导体异质结构的高性能非易失性有机场效应晶体管存储器(Adv。Sci。8/2017)
机译:异结双极晶体管:具有高电流扩增的2D基于材料的垂直双相杂交双极晶体管(ADV。电子。Matter。3/2019)
机译:基于sb的双异质结双极晶体管(DHBT),Fmax> 650 GHz,适用于340 GHz发送器