机译:掺Eu的GaN量子点的形貌特征。
CEA/CNRS/UJF Research Group Nanophysique et Semiconducteurs, Departement de Recherche Fondamentale sur la Matiere Condensee, SP2M, CEA Grenoble, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble cedex 9, France;
机译:掺Tm的GaN量子点的光学和形态性质。
机译:植入Eu,Eu原位掺杂Do和Eu掺杂Gan量子点中的光学活性中心
机译:GaN盖层对金属有机气相外延生长的GaN(0001)上嵌入的自组织InN量子点的形貌和物理性质的影响
机译:GaN势垒层厚度对多层InGaN量子点的形貌和光学性能的影响
机译:过渡金属掺杂的II-VI半导体量子点的光学和磁性性质操纵的理论见解
机译:掺杂Si的InGaN底层对不同数量的量子阱的InGaN / GaN量子阱结构的光学性能的影响
机译:镁掺杂对InGaN / GaN多量子阱的形貌,光学和结构性质的影响