机译:InGaN / GaN量子阱结构中浓度,应变和内部电场的映射
Center for Solid State Science, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287-1704;
机译:GaN势垒厚度对蓝色InGaN / GaN多量子阱LED结构的内置电场和内部量子效率的影响
机译:使用电反射光谱法确定应变松弛层对InGaN / GaN多量子阱结构中内部电场测量的影响
机译:使用InGaN / GaN量子阱结构的差分相衬显微镜对内部电场进行定量测量
机译:应变对应变AlGaN / GaN和InGaN / GaN量子阱的能带排列和内建电场的影响
机译:InGaN / GaN多量子阱结构:亚微米结构,光学,电和化学性质。
机译:电场和磁场对锌共混对称InGaN / GaN多量子点中杂质结合能的影响
机译:InGaN / GaN多量子阱中的应变引起的带隙偏移和内置电场的变化