机译:Ge预变形超浅结中硼失活机理的证据
Philips Research Leuven, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
机译:硼间隙簇对高剂量硼注入超浅结中空穴迁移率下降的影响
机译:硼间隙团簇对高剂量硼注入超浅结中霍尔散射因子的影响
机译:多次扫描进行非熔融激光退火后,预非晶硅中超浅硼注入的失活
机译:硼在预非晶化超浅结中的失活和扩散:间质转运和F共植入控制
机译:超浅结形成过程中晶体硅中砷和氟行为的首要原理建模。
机译:n硅与原子薄硼层之间的无掺杂结形成机理
机译:硼 - 间质性簇对高剂量硼植入超缓交界处的空穴迁移率降解的影响