机译:Si(111)上的GaN纳米级横向外延过生长
机译:Si(111)衬底上的纳米级外延过生长工艺和GaN层的性能
机译:使用大剂量Nt离子注入在Si(111)衬底上GaN的外延横向过生长**
机译:大剂量N + sup>离子注入† sup>在Si(111)衬底上GaN的外延横向过生长
机译:纳米横向外延过度生长在Si(111)上生长的GaN中位错密度的数量级降低
机译:利用外延横向过生长来增加电压的薄硅太阳能电池的设计,制造和分析
机译:使用两步横向外延过生长过滤半极性(11-22)GaN中的缺陷
机译:采用沟槽外延横向过生长技术的紫外非极性InGaN / GaN发光二极管的特性