机译:GaMnAs / AlAs / InGaAs / AlAs / GaMnAs双势垒磁性隧道结中的隧道磁阻
Department of Electronic Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan;
机译:GaMnAs / AlAs / GaMnAs单势垒铁磁半导体隧道结中的大隧穿磁阻(> 70%)
机译:GaMnAs / AlAs / GaMnAs铁磁半导体异质结构中的隧道磁阻
机译:从GaMnAs层将空穴自旋注入GaAs-AlAs-InGaAs共振隧穿二极管
机译:AlAs / GaAs / AlAs双势垒量子阱异质结构中的GAMMA -X电子隧穿
机译:用新型铁磁电极设计和表征逆隧穿磁阻磁隧道结。
机译:基于GaMnAs的垂直自旋金属氧化物半导体场效应晶体管中的侧栅电场引起的大电流调制和隧穿磁阻变化
机译:GaMnAs / AlAs / GaMnAs铁磁半导体隧道结中的大隧穿磁阻
机译:具有高隧穿磁电阻的磁隧道势垒和相关磁隧道结。