机译:用于GaN纳米线的聚焦离子束铂纳米图形:欧姆接触和图形化生长
Department of Materials Science and Engineering, University of Pennsylvania, 3231 Walnut Street, Philadelphia, Pennsylvania 19104-6272;
机译:聚焦离子束沉积的GaN纳米线Pt触点的微观结构和组成
机译:建立欧姆接触与n-GaN纳米线的接触电阻率的上限
机译:周期性图案在嵌入式欧姆触点上的效果inalAnm / GaN异质结构的影响
机译:氮化镓纳米线:极性表面控制的生长,聚焦离子束引起的直接Pt沉积和无序效应的欧姆接触图形;可变范围跳变和共振机电性能
机译:通过固相反应开发与n-Ga(或Al)(0.5)In(0.5)P的不尖峰欧姆接触以及对n-GaAs进行低温处理的欧姆接触
机译:GaN纳米柱有序生长的衬底纳米图案化的关键方面
机译:用于GaN纳米线的聚焦离子束铂纳米图案化:欧姆接触和图案化生长