机译:铁电薄膜电容器结构中的动态泄漏电流补偿
CNI, Center of Nanoelectronic Systems for Information Technology (CNI), Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany;
机译:铅基薄膜铁电电容器的漏电流机理
机译:铅基薄膜铁电电容器的漏电流机理
机译:退火对Pt / Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3 / Pt薄膜电容器漏电流特性的影响
机译:铁电SCXA1-X N薄膜电容器漏电流中的接触性依赖性不对称补偿
机译:在二氧化f和基于二氧化硅的金属氧化物-硅结构中,与偏置温度不稳定性和应力引起的泄漏电流有关的缺陷的磁共振观察。
机译:基于聚偏二氟乙烯-三氟乙烯超薄膜的铁电电容器结构效应建模
机译:铁电薄膜电容器结构中的动态漏电流补偿