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Temperature dependence of the exciton transition in semiconductor quantum dots

机译:半导体量子点中激子跃迁的温度依赖性

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摘要

The authors measure the temperature dependence of the first absorption feature (dE/dT) for different sizes of CdSe/ZnS nanocrystals. In contrast to previous experiments, they find that dE/dT is experimentally identical for all nanocrystal sizes considered and agrees well with the bulk CdSe value. They show that a first order model that only considers the exciton confinement energy can explain the existing experimental dE/dT values for both epitaxial quantum dots (InAs, In_(0.6)Ga_(0.4)As, GaAs) and colloidal nanocrystals (CdSe, PbS, PbSe).
机译:作者测量了不同尺寸的CdSe / ZnS纳米晶体的第一吸收特征(dE / dT)的温度依赖性。与先前的实验相反,他们发现对于所有考虑的纳米晶体尺寸,dE / dT在实验上都是相同的,并且与总体CdSe值非常吻合。他们表明,仅考虑激子约束能量的一阶模型可以解释外延量子点(InAs,In_(0.6)Ga_(0.4)As,GaAs)和胶体纳米晶体(CdSe,PbS)的现有实验dE / dT值,PbSe)。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2006年第22期|p.223132.1-223132.3|共3页
  • 作者单位

    Research Laboratory of Electronics, MIT, 32 Vassar St., Cambridge, Massachusetts 02139;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 应用物理学;计量学;
  • 关键词

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