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【24h】

Lasing in high-Q quantum-dot micropillar cavities

机译:发射高Q量子点微柱腔

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摘要

We present lasing in optically pumped high-Q micropillar cavity lasers with low thresholds and high β factors. The micropillar cavities with diameters between 1.0 and 4.0 μm contain a single layer of low density In_(0.3)Ga_(0.7)As quantum dots as active region. Cavity Q factors of up to 23.000 for 4.0 μm micropillar cavities and lasing based on less than 70 quantum dots is demonstrated.
机译:我们介绍了具有低阈值和高β因子的光泵浦高Q微柱腔激光器中的激光发射。直径在1.0到4.0μm之间的微柱腔包含一层低密度In_(0.3)Ga_(0.7)As量子点作为有源区。对于4.0μm的微柱腔,腔Q值高达23.000,并且基于少于70个量子点的激光发射被证明。

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