机译:减少AlN /蓝宝石外延层中由生长模式修饰驱动的位错密度
机译:通过使用三甲基铝脉冲电源增长来改善蓝宝石上的AlN / AlGaN模板中的表面粗糙度并降低螺纹位错密度
机译:通过使用渐变AlxGa1-xN / AlN多缓冲层倾斜在AlN /蓝宝石模板上生长的Al0.45Ga0.55N外延层中的位错倾斜来放松压缩应变
机译:通过引入脉冲原子层外延缓冲层降低AlN外延层中的螺纹位错密度
机译:通过采用三甲基铝脉冲供应生长改善AIN / AIGAN模板的表面粗糙度和螺纹脱位密度的降低
机译:蓝宝石上的氮化镓薄膜通过横向外延过生长来减少螺纹位错。
机译:卤化物气相外延在锥形截肢型蓝宝石衬底上生长的α-GA2O3癫痫脱位的减少
机译:通过原位SixNy夹层降低蓝宝石上GaN中的螺纹位错密度