机译:在低缺陷密度独立式GaN衬底上制造的m平面In_(0.15)Ga_(0.85)N / GaN多量子阱蓝色发光二极管中的量子受限Stark效应
机译:在低缺陷密度独立式GaN衬底上制造的m平面In_xGa_(1-x)N / GaN多量子阱激光二极管晶片中的各向异性光学增益
机译:在独立式GaN衬底上制造的非极性m平面In_xGa_(1-x)N / GaN蓝色发光二极管的预期发射效率和面内偏振光
机译:在低缺陷密度m上生长的拟态m平面Al
机译:减少了筛选InGaN / GaN量子孔的量子局限于诸如发光二极管的普拉的增长的蓝色转变
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:从硅衬底上分离出来的独立式GaN上的InGaN / GaN蓝色发光二极管的正向隧穿特性研究
机译:GaN,In_(0.05)Ga_(0.95)N和a中的超快载流子弛豫 In_(0.05)Ga_(0.95)/ In_(0.15)Ga_(0.85)N多量子阱