机译:开尔文探针力显微镜研究裂解的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的表面电势瞬变
机译:用开尔文探针力显微镜测量AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的表面电势
机译:Nm级测量AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的快速表面电势瞬变
机译:用开尔文探针力显微镜测量1.3 / splμm/ m埋入式异质结构激光二极管的劈开镜面的接触电势
机译:用开尔文探针力显微镜测量AlGaN / GaN HEMT的表面电势瞬变
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:具有再生欧姆接触的半绝缘Ammono-GaN衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:伪形高电子迁移率晶体管,AlGaN / GaN和Si微型霍尔探针的成像能力,可在25至125°c之间扫描霍尔探针显微镜
机译:alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)应力发展的电 - 热 - 力学瞬态建模(后印刷)。