机译:SiC上Na掺杂外延石墨烯的电子性质
Department of Physics, Pohang University of Science and Technology, Pohang 790-784, Republic of Korea;
Department of Physics, Pohang University of Science and Technology, Pohang 790-784, Republic of Korea;
机译:用缺陷缓冲层阐明在SiC上生长的外延石墨烯的电子和磁性
机译:通过氢气加热分解调整外延多层 - 石墨烯/ 4H SiC(0001)的电子特性
机译:铅插层对SiC外延石墨烯结构和电子性能的影响
机译:6H-SiC(000-1)表面上的层状外延石墨烯的电子和结构性质
机译:外延石墨烯的电子性质:第一个原理研究。
机译:3C–SiC(100)/ Si(100)衬底上外延石墨烯的结构和电子性能研究
机译:SIC和3C-SIC / SI对外延石墨烯的电子和运输特性:综述