机译:压电极化和非辐射复合对(0001)面GaN / InGaN光伏器件性能的影响
Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA;
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机译:压电极化和非辐射复合对(0001)面GaN / InGaN光伏器件性能的影响
机译:压电极化和非辐射复合对(0001)面GaN / InGaN光伏器件性能的影响
机译:评论“压电极化和非辐射复合对(0001)面GaN-InGaN光伏器件性能的影响” [Appl。物理来吧96,051107(2010)]
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机译:评论“压电偏振和非阵列重组对(0001)面部GaN-IngaN光伏器件性能”的影响“Appl。物理。吧。 96,051107(2010)