机译:Pr_(0.58)Ca_(0.42)MnO_3薄膜中衬底诱导的电荷序淬灭,绝缘体金属跃迁和巨磁阻的证据
National Physical Laboratory (CSIR), Dr. K. S. Krishnan Marg, New Delhi 110012, India;
National Physical Laboratory (CSIR), Dr. K. S. Krishnan Marg, New Delhi 110012, India;
Departement de Physique and RQMP, Universite de Sherbrooke, Sherbrooke, Quebec J1K 2R1, Canada;
National Physical Laboratory (CSIR), Dr. K. S. Krishnan Marg, New Delhi 110012, India;
Department of Physics, Banaras Hindu University, Varanasi 221005, India;
Departement de Physique and RQMP, Universite de Sherbrooke, Sherbrooke, Quebec J1K 2R1, Canada;
National Physical Laboratory (CSIR), Dr. K. S. Krishnan Marg, New Delhi 110012, India;
机译:Pr0.58Ca0.42MnO3多晶薄膜中衬底诱导的电荷序淬灭,绝缘体金属跃迁和巨大磁阻的证据
机译:Pr_(0.5)Ca_(0.5)MnO_3薄膜在电场或磁场诱导的绝缘体-金属跃迁中的结晶度与跃迁场的相关性
机译:Pr_(0.5)Ca_(0.5)MnO_3薄膜在电场或磁场诱导的绝缘体-金属跃迁中的结晶度与跃迁场的相关性
机译:氧气退火对充电顺序的作用和绝缘子金属过渡在PR_(0.58)CA_(0.42)MNO_3薄膜
机译:横跨金属-绝缘体过渡的巨大磁阻材料镧钙锰氧化物。
机译:直流磁控溅射过程中衬底偏置对VO2薄膜质量及其绝缘体-金属过渡行为的影响
机译:多晶pr0.58Ca0.42mnO3薄膜中衬底诱导电荷猝灭,绝缘体金属跃迁和巨磁电阻的证据
机译:生长速率调制诱导锐钛矿TiO2薄膜中金属 - 绝缘体的转变。