机译:金属插层(金属= Al,Ag,Au,Pt和Pd)后SiC(0001)上外延石墨烯单层的电子结构:第一性原理研究
Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 804, Taiwan;
Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 804, Taiwan;
Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, Los Angeles,California 90095-1595, USA;
Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 804, Taiwan Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, Los Angeles,California 90095-1595, USA;
机译:嵌入金后SiC(0001)上外延石墨烯单层的电子结构:第一性原理研究
机译:共价和金属嵌入对SiC(0001)上外延石墨烯电子性质的作用
机译:未重构的6H-SiC {0001}表面和外延石墨烯的原子和电子结构的第一性原理研究
机译:由石墨直接形成贵金属(Pd,Pt,Au和Ag)和石墨烯纳米复合材料
机译:单层组件中结构和反应性的研究:1.链烷硫醇盐自组装单层在Au上的臭氧分解。 2.超薄金膜的面内电阻率是一种高灵敏度的液-金属界面化学吸附分子区分探针。
机译:全-D金属Heusler型X2MNTI化合物的相转变和电子结构(x = PdPtAgAuCu和Ni)
机译:SiC(0001)上外延石墨烯的横向不均匀Au插层:多方法电子显微镜研究