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机译:偏振光对提高AlGaN紫外发光二极管中反射散射结构的光提取效率的影响
Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA;
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机译:偏振光对提高AlGaN紫外发光二极管中反射散射结构的光提取效率的影响
机译:反射光子晶体p接触层的反射率,用于提高基于AlGaN基深紫外发光二极管的光提取效率
机译:通过在p-AlGaN接触层上使用高反射光子晶体实现高外部量子效率(10%)的基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:AlGaN亚表面通过临界角之前的完美透射率来提高深紫外发光二极管的光提取效率
机译:改进了III族氮化物可见光和紫外发光二极管的性能,包括提取效率,电效率,热管理和高电流密度下的效率维持。
机译:AlGaN基纳米棒紫外发光二极管结构中光提取效率的大幅提高
机译:反射光子晶体p接触层的反射率,用于提高基于AlGaN基深紫外发光二极管的光提取效率
机译:具有全向反射器的紫外光谱发光二极管具有高提取效率