机译:基于GaMnAs的垂直自旋金属氧化物半导体场效应晶体管结构的自旋相关输运性质
Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan;
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机译:基于Gamnas的垂直旋转金属氧化物半导体场效应晶体管中的侧栅电场的大电流调制和隧道磁阻改变
机译:基于GaMnAs的自旋热载流子晶体管中与自旋有关的传输特性
机译:一种测量金属氧化物半导体场效应晶体管接口的旋转依赖捕获事件的技术:近零场自旋依赖电荷泵
机译:基于Si的旋转金属氧化物 - 半导体场效应晶体管中的旋转传输:旋转漂移效果在反转通道中,N〜+ -SI源/漏区中的旋转弛豫
机译:场效应晶体管中碳纳米管和束的结构和电传输特性的相关性。
机译:基于GaMnAs的垂直自旋金属氧化物半导体场效应晶体管中的侧栅电场引起的大电流调制和隧穿磁阻变化
机译:基于Gamnas的垂直自旋的自旋相关传输特性 金属氧化物半导体场效应晶体管结构