机译:InGaN发光二极管中与温度相关的复合系数:空穴定位,俄歇过程和绿隙
Institut fuer Festkoerperphysik, Technische Universitaet Berlin, Hardenbergstrasse 36,10623 Berlin, Germany;
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OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Leibnizstrasse 4, 93055 Regensburg, Germany;
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机译:一种基于InGaN的蓝光发光二极管的俄歇复合系数的获得方法
机译:从InGaN / GaN发光二极管效率下降测量中提取的俄歇复合系数的不确定性
机译:载流子的位置对“绿色间隙”中基于InGaN的LED的重组过程和效率的影响
机译:俄歇复合对混合绿色发光二极管的影响
机译:高效紫色和蓝色IngaN微胶囊发光二极管
机译:在绿色间隙范围内实现高发光效率的InGaN发光二极管
机译:载气定位对“绿色差距”的基于InGaN的LED重组过程和效率的影响