机译:悬挂键中心在4H-SiC金属氧化物半导体场效应晶体管中是否是重要的界面陷阱?
Intercollege Program of Materials, The Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania 16802, USA;
Intercollege Program of Materials, The Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania 16802, USA,Department of Engineering Science and Mechanics, The Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania 16802, USA;
United States Army Research Laboratory, 2800 Powder Mill Road, Adelphi, Maryland 20783, USA;
机译:SiO_2 / 4H-SiC金属氧化物半导体场效应晶体管中的近界面陷阱受温度相关的栅极电流瞬变测量监控
机译:4H-SiC上的金属氧化物半导体场效应晶体管中的有源近界面陷阱的能级
机译:氮对4H-SiC金属氧化物半导体场效应晶体管中态分布的界面密度的影响:超超精细相互作用和近界面硅空位能级
机译:使用自旋相关复合的金属栅极氧化Ha场效应晶体管中的负偏置应力界面陷阱中心
机译:金属氧化物半导体器件中硅/二氧化硅界面粗糙度和界面捕获电荷的低温测量。
机译:厚度调制半导体到砷中金属跃迁的无掺杂砷异质结构金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:霍尔效应研究受主浓度对4H-SiC n-金属氧化物半导体场效应晶体管电性能和界面态密度的影响