首页> 外文期刊>Applied Physics Letters >Publisher's Note: 'Effect of interfacial excess oxygen on positive-bias temperature stress instability of self-aligned coplanar InGaZnO thin-film transistors' [Appl. Phys. Lett. 108, 141604 (2016)]
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Publisher's Note: 'Effect of interfacial excess oxygen on positive-bias temperature stress instability of self-aligned coplanar InGaZnO thin-film transistors' [Appl. Phys. Lett. 108, 141604 (2016)]

机译:发行人注:“界面过量氧对自对准共面InGaZnO薄膜晶体管的正向温度应力不稳定性的影响” [Appl。物理来吧108,141604(2016)]

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摘要

This article was originally published online on 8 April 2016. Due to a production error, co-author In Byeong Kang's affiliation was listed incorrectly. AIP Publishing apologizes for this error. The affiliation appear correctly above. All online versions of the article were corrected on 11 April 2016, and it appears correctly in print.
机译:本文最初于2016年4月8日在线发布。由于生产错误,In Byeong Kang的隶属作者被错误列出。 AIP发布对此错误表示歉意。从属关系正确显示在上方。该文章的所有在线版本均已于2016年4月11日得到更正,并且正确显示在印刷版中。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2016年第16期|169903.1-169903.1|共1页
  • 作者单位

    Division of Electrical Engineering, Hanyang University, Ansan, Gyeonggi-do 15588, Republic of Korea;

    Research and Development Center, LG Display Co., Paju, Gyeonggi-do 413-811, Republic of Korea;

    Research and Development Center, LG Display Co., Paju, Gyeonggi-do 413-811, Republic of Korea;

    Research and Development Center, LG Display Co., Paju, Gyeonggi-do 413-811, Republic of Korea;

    Research and Development Center, LG Display Co., Paju, Gyeonggi-do 413-811, Republic of Korea;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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