机译:发行人注:“界面过量氧对自对准共面InGaZnO薄膜晶体管的正向温度应力不稳定性的影响” [Appl。物理来吧108,141604(2016)]
Division of Electrical Engineering, Hanyang University, Ansan, Gyeonggi-do 15588, Republic of Korea;
Research and Development Center, LG Display Co., Paju, Gyeonggi-do 413-811, Republic of Korea;
Research and Development Center, LG Display Co., Paju, Gyeonggi-do 413-811, Republic of Korea;
Research and Development Center, LG Display Co., Paju, Gyeonggi-do 413-811, Republic of Korea;
Research and Development Center, LG Display Co., Paju, Gyeonggi-do 413-811, Republic of Korea;
机译:界面过量氧对自对准共面InGaZnO薄膜晶体管正偏置温度应力不稳定性的影响
机译:自对准共面InGaZnO薄膜晶体管中正偏压温度应力引起的不稳定性的实验分解及其基于多重拉伸指数函数的建模
机译:基于多拉伸指数函数的自排列共对共印薄膜薄膜晶体管中的正偏置温度应力诱导不稳定性的实验分解及其建模
机译:氧含量对底栅非晶InGaZnO薄膜晶体管电流应力诱导的不稳定性的影响
机译:出版商的注意事项:“界面过量氧对自排列共青薄膜薄膜晶体管的正偏压稳定性的影响”苹果酱。物理。吧。 108,141604(2016)