机译:由ZrO_2 / AlON双层结构制成的高性能透明电阻开关存储器
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan;
Department of Energy Information Engineering, School of Software and Microelectronics, Peking University, Wuxi 214125, China;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan;
机译:通过基于TiO_2的无形成电阻式随机存取存储器中的非晶ZrO_2层形成来改善电阻切换性能
机译:双层ZnO / ZrO_2结构中吉布斯自由能差和氧空位分布对双极电阻切换的影响
机译:双层HfO2 / TiO2电阻式随机存取存储器的增强的电阻开关性能
机译:Al / Ti / ZrO_2:Al_2O_3 / TIN / Si / Si / Si / Si / Si / Al结构对存储器应用的电阻切换行为的影响研究
机译:基于五氧化二铜-铂金器件结构的纳米交叉电阻开关存储器的制作
机译:Ag / In-Ga-Zn-O / Pt双极电阻开关存储器的夹层结构中的自整流性能
机译:使用超临界流体氮化,通过透明ITO电极提高电阻开关存储器的性能
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。