机译:InGaN量子阱中的超快和带选择俄歇复合
Department of Chemistry, Columbia University, New York, New York 10027, USA;
Department of Chemistry, Columbia University, New York, New York 10027, USA;
Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87123, USA;
Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87123, USA;
Department of Chemistry, Columbia University, New York, New York 10027, USA;
机译:在效率下降方案中对C平面Ingan / GaN单量子中螺旋钻重组的影响
机译:沿极性方向生长的绿色,黄色和红色InGaN基发光体的内部量子效率和俄歇复合
机译:InGaN / GaN量子阱中载流子局部化引起的俄歇复合的增强
机译:偏振场和螺旋桨重组对Ingan / GaN蓝色LED内部量子效率的影响
机译:固体理论研究:(1)半导体超晶格的光学性质。 (2)半导体量子阱中的俄歇复合。
机译:无序强烈地增强了导电量子点固体中的俄歇复合
机译:在效率下降方案中对C平面Ingan / GaN单量子中螺旋钻重组的影响