机译:通过HR-TEMXRD和慢正电子实验确定GaN / AlN / Si异质结构中GaN膜的缺陷结构
gallium nitride; epitaxial thin films; dislocations; positron diffusion length;
机译:在氢化物气相外延生长的低缺陷密度极性和非极性独立式GaN衬底上的时间分辨光致发光,正电子ni灭和Al0.23Ga0.77N / GaN异质结构生长研究
机译:在氢化物气相外延生长的低缺陷密度极性和非极性独立式GaN衬底上的时间分辨光致发光,正电子ni灭和Al_0.23Ga_0.77N / GaN异质结构生长研究
机译:基于AlN / GaN异质结构的顶部栅极GaN薄膜晶体管
机译:在AlGaN /(ALN)/ GaN和Inaln /(ALN)/ GaN异质结构的载体迁移率,受不同的散射机制的限制:实验和计算
机译:硅薄膜对AlGaN / GaN异质结构表面处理的严格研究。
机译:在(111)3C-SIC上生长的外延ALN / GAN薄膜缺陷结构研究
机译:金属有机化学气相沉积法制备AlGaN / GaN / AlN异质结构中的二维电子和空穴载流子