机译:基于再生和注入方法的N沟道GaN金属氧化物半导体场效应晶体管的制作和评估
gallium nitride; metal-oxide field-effect transistors; fabrication;
机译:n〜+-源极/漏极再生的GaN金属氧化物半导体场效应晶体管在刻蚀GaN上的性能
机译:基于HfO_2的InP n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管和使用锗界面钝化层的金属氧化物半导体电容器
机译:将硅离子注入掺Mg的GaN中以制备表面电场降低的金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:用于N沟道镓砷化物金属氧化物 - 半导体场效应晶体管的原位表面钝化和金属栅/高k电介质叠层形成
机译:硅的横向固相外延及其在金属氧化物半导体场效应晶体管制造中的应用。
机译:基于GaMnAs的垂直自旋金属氧化物半导体场效应晶体管中的侧栅电场引起的大电流调制和隧穿磁阻变化
机译:基于再生和植入方法的N沟道GaN金属氧化物半导体场效应晶体管的制造与评价
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)