机译:外部静磁场下通过顶晶溶液生长提高SiC晶体生长速率和均匀性的数值研究
silicon carbide; SiC; solution growth; TSSG; external magnetic field; Helmholtz coils; simulation;
机译:SiC晶体固溶生长中旋转和行进磁场对碳输运影响的比较数值研究。
机译:横向静磁场下溶液生长期间GaP(111)B小平面上的生长和溶解速率
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机译:静磁场对TSSG过程中SiC生长速率提高的数值研究
机译:静态和旋转磁场对硅锗单晶液相扩散生长影响的数值模拟研究
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机译:外部静态磁场下通过顶播溶液生长改善SiC晶体生长速率和均匀性:数值调查
机译:磁场和电场中锑化物基复合半导体晶体熔体生长的渐近分析。