机译:富GaAs(001)-4×6和As富GaAs(001)-2×4表面上三甲基铝原子层沉积的原子-原子相互作用:同步辐射辐射光发射研究
GaAs Al2O3 Atomic layer deposition Synchrotron radiation photoemission 73.90. + f 79.60.Jv;
机译:富As InGaAs(001)2×4与富GaIn InGaAs(001)4×2上三甲基铝原子层沉积氧化物成核的原子成像
机译:GaAs(001)表面富含Ga的c(8 x 2)和富含As的c(4 x 4)重建的动态力显微镜研究
机译:Ag / GaAs(001)-2 x 4界面肖特基势垒高度形成的原子性质:原位同步加速器辐射光发射研究
机译:GaAs(001)表面生长的fcc Mn薄膜电子结构的同步辐射研究
机译:富含Ga的GaAs和GaP(001)表面上有机和无机吸附物的结构,化学和能量学。
机译:原子层生长机理的原子性质在GaAs(001)-4上沉积高κY2O3×6基于原位同步辐射光电子能谱
机译:富GaAs(001)-4×6和As富GaAs(001)-2×4表面上三甲基铝原子层沉积的原子-原子相互作用:同步辐射辐射光发射研究
机译:Gaas(001)和alas(001)衬底上si层的外延生长和界面参数