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Mie resonance-mediated antireflection effects of Si nanocone arrays fabricated on 8-in. wafers using a nanoimprint technique

机译:在8英寸上制造的Si纳米锥阵列的Mie共振介导的抗反射作用。使用纳米压印技术的晶圆

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摘要

We fabricated 8-in. Si nanocone (NC) arrays using a nanoimprint technique and investigated their optical characteristics. The NC arrays exhibited remarkable antireflection effects; the optical reflectance was less than 10% in the visible wavelength range. The photoluminescence intensity of the NC arrays was an order of magnitude larger than that of a planar wafer. Optical simulations and analyses suggested that the Mie resonance reduced effective refractive index, and multiple scattering in the NCs enabled the drastic decrease in reflection.>PACS: 88.40.H-; 88.40.jp; 81.07.Gf
机译:我们制造了8英寸使用纳米压印技术的Si纳米锥(NC)阵列,并研究了它们的光学特性。 NC阵列表现出显着的防反射效果。在可见光波长范围内的光反射率小于10%。 NC阵列的光致发光强度比平面晶片的光致发光强度大一个数量级。光学模拟和分析表明,Mie共振降低了有效折射率,而NC中的多次散射使反射率急剧降低。> PACS: 88.40.H-; 88.40.jp; 81.07.Gf

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