机译:可以缓解SI(001)上GESI外延层应变能的分散螺旋移位
机译:边缘位错在GeSi / Si(001)异质结构塑性弛豫中的作用:引入机制对薄膜厚度的依赖性
机译:交叉滑移在异质外延体系GeSi-on-Si(001)和Ge-on-InGaAs / GaAs中边缘位错形成中的作用
机译:延性空隙生长和纳米晶结构域形成的原子尺度分析,作为超薄金属膜中应变松弛机制
机译:晶格 - 失配GaAs(001)的应变弛豫机制和界面缺陷的研究 - 基于异质结构
机译:覆盖和晶格应变对TM FePt MgO异质结构垂直磁各向异性的影响
机译:Si(001)上GeSi覆盖层中位错释放晶格应变的原子尺度形成机理
机译:磷与si(001)相互作用中覆盖层形成和界面混合的原子 - 分辨率研究。