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Using voltage‐sensor toxins and their molecular targets to investigate NaV1.8 gating

机译:使用电压传感器毒素及其分子靶标研究NaV1.8门控

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摘要

Voltage‐gated sodium (NaV) channel gating is a complex phenomenon which involves a distinct contribution of four integral voltage‐sensing domains (VSDI, VSDII, VSDIII and VSDIV). Utilizing accrued pharmacological and structural insights, we build on an established chimera approach to introduce animal toxin sensitivity in each VSD of an acceptor channel by transferring in portable S3b–S4 motifs from the four VSDs of a toxin‐susceptible donor channel (NaV1.2). By doing so, we observe that in NaV1.8, a relatively unexplored channel subtype with distinctly slow gating kinetics, VSDI–III participate in channel opening whereas VSDIV can regulate opening as well as fast inactivation. These results illustrate the effectiveness of a pharmacological approach to investigate the mechanism underlying gating of a mammalian NaV channel complex.
机译:电压门控钠(NaV)通道门控是一个复杂的现象,涉及四个积分电压感测域(VSDI,VSDII,VSDIII和VSDIV)的独特贡献。利用累积的药理学和结构学见解,我们建立了一种成熟的嵌合体方法,通过从毒素易感性供体通道的四个VSD中转移便携式S3b-S4基序,在受体通道的每个VSD中引入动物毒素敏感性。 。通过这样做,我们观察到在NaV1.8(一种相对未开发的具有显着缓慢的门控动力学的通道亚型)中,VSDI–III参与通道的开放,而VSDIV可以调节开放以及快速的失活。这些结果说明了药理学方法研究哺乳动物NaV通道复合物门控机制的有效性。

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