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Sustainable p-type copper selenide solar material with ultra-large absorption coefficient

机译:具有超大吸收系数的可持续p型硒化铜太阳能材料

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摘要

Earth-abundant solar absorber materials with large optical absorption coefficients in the visible enable the fabrication of low-cost high-efficiency single and multi-junction thin-film solar cells. Here, we report a new p-type semiconductor, Cu4TiSe4 (CTSe), featuring indirect (1.15 eV) and direct (1.34 eV) band gaps in the optimal range for solar absorber materials. CTSe crystallizes in a new noncentrosymmetric cubic structure (space group F4[combining macron]3c) in which CuSe4 tetrahedra share edges and corners to form octahedral anionic clusters, [Cu4Se4]4–, which in turn share corners to build the three-dimensional framework, with Ti4+ ions located at tetrahedral interstices within the channels. The unique crystal structure and the Ti 3d orbital character of the conduction band of CTSe give rise to near-optimal band gap values and ultra-large absorption coefficients (larger than 105 cm–1) throughout the visible range, which are promising for scalable low-cost high-efficiency CTSe-based thin-film solar cells.
机译:在可见光中具有大的光吸收系数的富含地球的太阳能吸收材料可以制造低成本,高效率的单结和多结薄膜太阳能电池。在这里,我们报告了一种新型的p型半导体Cu4TiSe4(CTSe),其在太阳能吸收体材料的最佳范围内具有间接(1.15 eV)和直接(1.34 eV)的带隙。 CTSe结晶为新的非中心对称立方结构(空间群F4 [结合宏] 3c),其中CuSe4四面体共享边和角,形成八面体阴离子簇[Cu4Se4] 4 – ,该八面体阴离子簇又共享角建立三维框架,其中Ti 4 + 离子位于通道内的四面体间隙中。 CTSe导带的独特晶体结构和Ti 3d轨道特性导致近最佳带隙值和超大吸收系数(大于10 5 cm –1 < / sup>)在可见光范围内,这有望用于可扩展的低成本高效CTSe基薄膜太阳能电池。

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