聚酰亚胺薄膜旋涂工艺及其抗电击穿性能

摘要

采用旋涂法制备了高质量的聚酰亚胺薄膜,研究了薄膜厚度与旋涂转速之间的关系;对不同厚度的旋涂薄膜进行了电击穿实验,探讨了膜厚对击穿性能的影响.结果表明:聚酰亚胺薄膜的厚度与旋转速度平方根的倒数(ω-1/2)呈线性正相关,通过控制转速可获得不同膜厚;薄膜越厚,击穿电压越高,但其平均击穿强度越低.在280℃的亚胺化条件下,旋涂薄膜的最高击穿电压为2370 V,最大击穿场强为286.33 kV/mm,可满足大多数微系统对绝缘性能的要求.