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梁美; 郑琼林; 李艳; 巴腾飞;
北京交通大学电气工程学院 北京 100044;
分析模型; 碳化硅MOSFET; 寄生参数; 开关特性; 开关损耗;
机译:用于预测SiC MOSFET开关性能的改进分析模型
机译:用于未来电动车辆充电站的SIC和GAN设备的硬开关特性
机译:用于切换SiC MOSFET模块瞬态过程的半胱氨酸半衰期分析模型
机译:高频应用中用于SiC开关特性预测的更精确的Miller电容器建模
机译:Lyapunov样功能,用于分析模型预测控制和移动地平线估计
机译:4H-SIC双沟MOSFET采用分流异质结闸用于改善开关特性
机译:一种改进的分析模型,用于预测SiC MOSFET的开关性能
机译:基于4H-siC的BJT到200℃的静态和开关特性
机译:根据期望值计算来精确预测发电量的方法,基于期望值计算来精确预测发电量的系统以及根据期望值计算来精确预测发电量的程序
机译:用于精确预测对存储器设备执行的顺序命令操作所需的功率的精确预测的装置
机译:精确控制静电放电保护电路的开关特性并与氧化层最小化相对应的半导体器件
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