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开关速度; 阈值电压; MOS管; GAN; 转换效率; 充电器; 电感量; 散热片;
机译:增强模式AlGaN / GaN MIS-HEMTS使用高VTH和高Idmax使用凹陷结构,重新开始AlGAN屏障
机译:大英大学宣布推出首款亚微米磁逻辑器件
机译:增强模式Aigan / GaN HEMT通过氟离子热扩散具有高Vth稳定性
机译:高VTH增强模式GaN电源器件高ID,MAX采用混合铬电荷陷阱门堆叠
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:Algan / GaN在没有GaN缓冲层的SIC器件上:电气和噪声特性
机译:AB-Biotics推出首款专门针对口腔疾病的益生菌
机译:GaN-ON-siC和GaN-ON-DIamOND高电子迁移率晶体管(HEmT)器件中声子传输的测量。
机译:GaN基半导体发光器件,发光器件组件,发光器件,用于制造GaN基半导体发光器件的方法,用于GaN基半导体发光器件的驱动方法和图像显示装置
机译:用于高电流/高压横向GaN晶体管的GaN-on-si半导体器件结构及其制造方法
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