绝缘体上硅(SOI)驱动芯片技术优势及产品系列

摘要

本文在介绍驱动芯片的概览和PN结隔离(JI)技术基础上,介绍英飞凌的绝缘体上硅(SOI)驱动芯片技术。高压栅极驱动IC的技术经过长期的发展,走向了绝缘体上硅(silicon-on-insulator,简称SOI),SOI指在硅的绝缘衬底上再形成一层薄的单晶硅,相对于传统的导电型的硅衬底,它有三层结构,第一层是厚的硅衬底层,用于提供机械支撑,第二层是薄的二氧化硅层,二氧化硅是一种绝缘体,从而形成一层绝缘结构,第三层是薄的单晶硅顶层,在这一层进行电路的刻蚀,形成驱动IC的工作层。