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功率半导体; 电子电气设备; MOSFET; 功率等级; 第三代半导体材料; 高温特性; 工作频率; SiC;
机译:<碳化硅晶圆> Showa Denko,功率半导体SiC虾晶圆高质量级产品3,维护稳定供应系统保持快速增长市场
机译:富士电机产业扩大在新能源和增长市场中的销售为诸如SiC功率MOSFET的非接触式半导体直流开关等电力设备开发
机译:功率半导体“SiC-MOSFET”三菱高精度电路仿真技术
机译:使用新型10mΩSiC MOSFET的超低(1.25mΩ)导通电阻900V SiC 62mm半桥功率模块
机译:1.2 kV 4H-SiC平面栅极功率MOSFET的设计,分析和优化,用于改进的高频切换
机译:具有超越1D限制的RSP-BV折衷和卓越的反向恢复特性的新型功率MOSFET
机译:新型功率MOSFET采用部分SIC / SI异质结,通过击穿点转移来改善击穿电压(BPT)终端技术
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长
机译:半导体器件和形成低压功率MOSFET的方法,使用石墨烯作为金属层,石墨烯纳米带作为硅、GAN、SIC衬底上功率垂直和横向MOSFET的沟道和漏增强区,或Diamond将窄带隙工程与宽带隙工程相结合,在电力半导体行业实现节能设备和环境进步
机译:SiC MOSFET SiC MOSPET功率半导体器件及其制造方法
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