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CMOS片上无源电感的Q值提升电路

         

摘要

片上无源电感是射频集成电路中广泛使用的重要器件,它决定着一些关键组成电路的主要性能指标.但CMOS衬底的高电导率特性使片上无源电感的损耗变大、Q值降低.为了解决这个问题,一种基于有源负阻架构的片上无源电感Q值提升电路在文中被提出.利用该电路不但可以在较宽的频率范围内大幅提升片上无源电感的Q值,还能够使电路的等效感值在有效带宽内仍取决于无源电感本身.

著录项

  • 来源
    《科技风》 |2019年第20期|203-204|共2页
  • 作者

    戴强; 杨格亮;

  • 作者单位

    中国电子科技集团公司第五十四研究所 河北石家庄 050081;

    中国电子科技集团公司第五十四研究所 河北石家庄 050081;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 场效应型;
  • 关键词

    CMOS; 片上电感; Q值;

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