GaN MOS-HEMT生物传感器对于GO_(X)的灵敏度检测

摘要

文章介绍一种高分辨率的AlGaN/AlN/GaN金属氧化物半导体——高电子迁移率晶体管(HEMT),并研究GaN MOS-HEMT生物传感器对于葡萄糖生物标志物GO_(X)(葡萄糖氧化酶)灵敏度检测的可行性。与传统用于葡萄糖检测的生物传感器进行对比发现,以HfO_(2)作为栅极电解质,可以改善器件性能,增强MOS-HEMT器件的漏极电流,提升器件的灵敏度。