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郝长虹;
湘能华磊光电股份有限公司 湖南郴州 423038;
LED; 外延结构; 量子阱; 量子限制斯塔克效应;
机译:量子限制斯塔克效应和载流子局域效应对GaN基LED调制带宽的影响
机译:分子束外延生长的GaInAsSb / AlGaAsSb量子阱中的量子受限斯塔克效应
机译:In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As / In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As多量子阱结构中重空穴限制态的量子限制斯塔克效应
机译:单量子阱InGaN / GaN LED中的量子限制斯塔克效应和偏振场
机译:基于III型氮化物量子点和分子束外延生长的量子阱的LED。
机译:由极性重复单元组成的分子单分子层中的集体诱导量子限制斯塔克效应
机译:纳米级纳米线中多个GaN / AlN量子盘中量子限制的斯塔克效应和发射效率下降的纳米级监测
机译:三重耦合InGaas / Gaas / alGaas量子阱红外光电探测器中量子限制斯塔克效应的观测。
机译:量子限制的斯塔克效应量子点光调制器
机译:量子限制斯塔克效应量子点光调制器
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