纳米二氧化硅改性及其在硅类消泡剂中的应用

摘要

利用硅烷偶联剂十二烷基三甲氧基硅烷(WD-10)对纳米SiO2进行了有机表面接枝改性.采用红外光谱、电泳、热重分析、扫描电镜等分析手段对表面改性前后的纳米SiO2进行表征,考察了反应温度、反应时间和偶联剂浓度对接枝率的影响.结果表明:WD-10以化学键合的方式结合在纳米SiO2的表面,形成有机包覆层,明显改善其分散性能;在WD-10质量浓度为0.9 mL/g、反应温度60 ℃、反应时间1 h时,接枝率最高.在消泡剂体系中添加4%经改性后的纳米SiO2进行乳化可明显改善消泡剂的破泡性能和稳定性.