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季启政; 刘峻; 杨铭; 胡小锋; 万发雨; 刘尚合;
中国人民解放军陆军工程大学电磁环境效应重点实验室;
北京卫星环境工程研究所;
南京信息工程大学电子与信息工程学院;
北京东方计量测试研究所;
氮化镓; 高电子迁移率晶体管; 质子辐照; 位移损伤; 压电极化;
机译:取决于衬底的效应对AlGaN / GaN HEMT对2 MeV质子辐射的响应
机译:AlGaN / GaN HEMT和MOS-HEMT中的总电离剂量辐射效应
机译:Ni / Au门控AlGaN / GaN HEMT中质子辐射诱导的空洞形成
机译:通过质子辐射在AlGaN / GaN-Hemts中的动态RON的总抑制
机译:高速Algan / GaN Hemts的辐射响应与可靠性
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:校正“在400°C的AlGaN / GaN Hemts的AlGaN / GaN Hemts的稳定运行”
机译:考虑陷阱和热效应的GaN / alGaN HEmT E类功率放大器设计。
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
机译:形成栅极应力的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT
机译:形成栅极电极的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT的方法
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