GIS隔离开关动作引起的暂态地电位升建模仿真研究

摘要

[目的]大量气体绝缘金属封闭开关设备(Gas Insulated Switchgear,GIS)的投入使用产生了严重的电磁干扰,尤其是GIS中隔离开关在切合小容性电流等操作时,不具有灭弧能力,从而导致触头间介质发生多次击穿,电压陡波在紧凑的管道空间内迅速来回折反射叠加形成特快速暂态过电压(Very Fast Transient Voltage,VFTO)。[方法]本文采用适用于求解暂态地电位升的传输线模型,结合ATP-EMTP软件对VFTO及产生暂态地电位升(Transient Ground Potential Rise,TGPR)进行了分析计算。[结果]计算得到仿真模型中不同测点处的TGPR为582~762 V,通过与文献结果对比,误差分析的最大误差为3.77%。[结论]研究结果验证了仿真计算的正确性。