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曾天亮;
无;
CVD; 硅源气体; 杂质; 半导体;
机译:开发了下一代,开发了用于硅化物过程的CVD-NI和CVD-CO装置,并从下一个弹簧进行优化销售气体供应方法,以减少薄膜中的杂质。
机译:非洲氮杂碳杂质对多晶CVD金刚石膜电化学行为的影响
机译:从下一代开始开发用于VDD工艺的CVD-Ni和CVD-Co设备,并将通过从明年春季开始优化销售气体供应方法来减少膜中的杂质。
机译:PECVD和RTCVD氮化硅薄膜中的氢浓度分析及其对器件性能的影响
机译:沉积过程中离子轰击对氢化非晶硅锗薄膜和光伏器件性能的影响。
机译:聚合物/纳米晶体混合太阳能电池:分子前体设计对薄膜纳米形态电荷产生和器件性能的影响
机译:多级Co蒸发室残余气体组成和背景压力对Cu In,Ga se2薄膜质量及器件性能的影响
机译:衬底和浓度对CuInse2pV器件器件性能,结形成和薄膜微结构的影响
机译:原位CVD金属化工艺,用于降低阻挡层金属的温度对金属膜和杂质区之间的接触电阻以及CVD设备的影响
机译:多层薄膜堆积法的气体入口部以及CVD反应器中的CVD反应器
机译:具有多个背面气体路径的CVD设备以及使用能够独立控制彼此独立地控制向局部区域供应的BSG的CVD设备形成薄膜的方法
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