新型射频半导体电路优化建模技术研究

摘要

本文提出了一种新型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的小信号等效电路结构,并提取了等效电路结构的元件参数值,并进行了模块的S参数模拟S参数模拟.最后,将模拟结果与测试数据的差异进行比较.分析了所产生的器件模型的误差,论证了内置小信号模型的良好性能.