水热法制备的纳米ZnO微结构及光学性能

摘要

ZnO是一种典型的稀磁半导体材料,具有独特的光学和压电等优良特性,可广泛应用在新型的电子器件中.采用水热法生长出了本征ZnO纳米材料,用X射线衍射分析和扫描电子显微镜对其微结构进行了表征,采用光致发光谱分析其光学性能并从能级缺陷图解释了发光机理,结果发现ZnO纳米材料在紫外区的发光峰是因为高能级的电子跃迁到低能级与空穴进行复合后释放能量所引起的;而可见光区域的发光峰则是因为晶体中的缺陷产生,氧反应引起的.