水热法CdS纳米线的制备与表征

摘要

CdS具有光吸收系数大与制备工艺简单等优点,可用于制光电探测器、太阳能电池等领域。尽管CdS纳米线的制备和应用已经在很多领域取得了进展,而对于通过低成本方式生长高质量的晶体结构还有很大进步空间。本文通过水热法制备了质量较高的CdS纳米线,研究以不同的硫源及反应时间制备得到了CdS纳米线,并利用拉曼光谱、光致荧光光谱(PL)、光学显微镜和扫描电子显微镜(SEM)表征测试技术对所制备的CdS纳米线进行了表征,实验结果表明,水热过程中,不同硫源与Cd2+及乙二胺的作用方式不同,所制备的CdS纳米线长度有所不同。表现为当硫源为硫粉时CdS纳米线形貌明显清晰,长度增加。而在反应时间方面,随着保温时间的增加纳米线有接合生长的趋势,表现为随着反应时间增加CdS纳米线长度明显增长。