Vishay推出业内最低导通电阻的-30VP沟道MOSFET可提高能效和功率密度

摘要

Vishay首度推出-30Vp沟道功率MOSFET——SiRA99DP,10V条件下导通电阻降至1.7mΩ。Vishay Siliconix TrenchFET第四代SiRA99DP导通电阻达到业内最低水平,采用热增强型6.15mm×5.15mm PowerPAK SO-8单体封装,专门用来提高功率密度。日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二的产品低43%,降低压降并减小传导损耗,从而实现更高功率密度。